据国外媒体报道，俄罗斯首台光刻机已经制造完成并进入测试阶段。俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克表示，该设备能够生产350nm的芯片。
虽然350nm的芯片技术相比当前先进工艺显得落后，但在汽车、能源和电信等诸多行业中依然有着广泛的应用价值。这一突破意味着俄罗斯在自主发展半导体技术方面取得了重要进展，有望减少对外部技术的依赖，提升国内产业的自主性和竞争力。
俄罗斯此前已经公布了半导体技术的发展路线图，计划到2026年实现65nm芯片节点工艺，2027年实现28nm本土芯片制造，并在2030年实现14nm国产芯片制造。
更引人注目的是，俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构表示，旗下的应用物理研究所计划在2028年开发出可生产7纳米芯片的光刻机，并声称该设备将能够击败ASML的同类产品。这一目标如果实现，将显著提升俄罗斯在全球半导体行业中的地位。
俄罗斯的这一系列举措表明，尽管面临欧美的技术封锁和制裁，俄罗斯在半导体领域依然取得了显著进展，并展现出强劲的发展潜力。未来几年，随着这些计划的逐步实现，俄罗斯在全球半导体产业链中的影响力有望进一步增强。
