近期中微公司发布的财报数据揭示了一个重要趋势：半导体设备市场的关注焦点正在从光刻机向刻蚀、薄膜沉积等核心设备领域扩展。2025年前三季度，中微公司实现营收80.63亿元，同比增长46.40%，其中刻蚀设备收入61.01亿元，薄膜设备收入更是同比激增1332.69%，达到4.03亿元。
这一转变背后是半导体工艺演进带来的必然逻辑变迁。随着制程向7nm及以下节点发展，光刻步骤数量仅增加约30%，而刻蚀步骤数量却激增超过300%。在3nm FinFET工艺中，薄膜沉积工序更是达到100道，远超90nm工艺的40道。
3D NAND技术的快速发展进一步推动了对刻蚀设备的需求。从32层提升至128层时，刻蚀设备用量占比从35%跃升至48%。同时，GAAFET晶体管技术的兴起使得刻蚀工艺步骤从FinFET的5道增至9道，设备在先进制程中的用量占比预计将从20%上升至35%。
海关数据显示，2025年第三季度前道设备进口总额达101.87亿美元，创历史新高。其中CVD设备和干法刻蚀设备的进口数量和单价均处于历史高位，反映出国内在先进制程领域的产能扩张需求。
在国产化进程方面，中微公司的CCP设备已覆盖28纳米以上大部分应用，北方华创在PVD设备领域占据领先地位，拓荆科技则在PECVD和ALD设备领域取得突破。然而，关键零部件环节仍是自主可控的主要瓶颈，日本和欧洲企业仍在高精度传动部件与真空系统领域占据主导地位。
随着国家集成电路产业投资基金三期将上游关键零部件列为核心投资方向，国内半导体设备产业链有望迎来新的发展机遇。在全球半导体晶圆厂前端设备支出预计2026年达1298亿美元的背景下，刻蚀与薄膜沉积设备的国产化进程值得重点关注。
