在芯片制造的精密工艺中，靶材虽小却至关重要。这种特殊材料通过溅射工艺将原子沉积在硅片上，形成芯片内部的导电层和阻挡层，堪称芯片的基因载体。没有高纯度靶材，就没有先进制程的芯片。
随着芯片工艺进入7纳米以下节点，对靶材纯度的要求达到极致。金属杂质需控制在十亿分之一级别，相当于一个标准泳池中仅允许存在几粒盐的杂质。这种严苛标准源于半导体工艺的物理极限——任何微小杂质都会导致电路短路或性能衰减。
在技术路线上，铝和铜是当前主流的导线材料。110nm以上节点采用铝导线配钛阻挡层，110nm以下则使用铜导线配钽阻挡层。两种工艺相辅相成，共同确保芯片的性能与可靠性。
国内企业正加速技术突破。江丰电子开发的5N钛靶材纯度达99.999%，创下行业纪录；有研新材通过真空熔炼技术将铝靶晶粒尺寸控制在20微米以下，显著提升薄膜均匀性。2024年，江丰电子靶材出货量以26.8%的全球占比跃居世界第一。
全球靶材市场持续增长，2023年半导体溅射靶材市场规模达19.51亿美元，预计2030年将增至32.58亿美元，年复合增长率6.8%。尽管日矿金属、霍尼韦尔等国际巨头长期主导市场，但国内企业通过技术突破正逐步缩小差距。
随着3D芯片、异质集成等新技术发展，靶材需求将更加多元化。硅通孔技术需要高深宽比钽靶材，晶圆级封装则对低温焊接锡靶提出新要求。这些变化既带来挑战，也为行业创造新的发展机遇。
