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三星电子HBM突破英伟达认证,存储芯片涨价推动业绩反弹

摩根士丹利近期将三星电子目标股价上调12%至9.6万韩元,看好内存半导体短缺带来的市场机遇。这一乐观预期基于多重积极信号:三星DRAM和NAND闪存产品9月底提价高达30%,其HBM3E 12层堆叠产品更成功通过英伟达质量测试,推动股价创下年度新高。

在存储市场竞争中,三星正加速追赶领先的SK海力士。尽管SK海力士凭借HBM技术优势在第二季度以62%市占率领跑,但三星已宣布完成HBM4内部开发,计划用于英伟达2026年发布的AI加速器。集邦科技数据显示,8月DRAM现货价格已从年初的1美元飙升至5.87美元,存储芯片涨价潮为三星业绩复苏创造了有利环境。

晶圆代工业务方面,三星获得特斯拉165亿美元AI6芯片订单,并在泰勒市获得2.5亿美元政府资助建设2纳米晶圆厂。同时,IBM Power11处理器订单也巩固了其7纳米制程地位。不过分析师指出,特斯拉订单对台积电收入影响仅1%,三星在代工市场仍需长期投入。

消费电子领域,三星计划推出三折智能手机和XR设备,但多数产品仍依赖高通芯片。这表明其在自研芯片应用方面尚未形成完整闭环。

面对业务布局广泛的挑战,三星通过组织架构调整聚焦核心存储业务。从成立AI中心到重组DS部门,展现出快速应对市场变化的能力。这种灵活应变的企业特质,正是三星在激烈竞争中保持竞争力的关键所在。

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